Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The part **SI6966DQ** is manufactured by **Vishay**.  
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30 A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10 V:** 5.5 mΩ  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 4.5 V:** 7.5 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1 W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance with lower RDS(ON) and gate charge.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power management, and load switching.  
Would you like any additional details?