**Part Number:** SI6963DQ  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3 A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.035 Ω (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and other switching applications.  
- TrenchFET® Gen III technology ensures high performance and reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer electronics.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)