Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI6963BDQ-T1-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Pb-Free Specifications:**  
- The device is **lead-free (Pb-free)** and complies with RoHS (Restriction of Hazardous Substances) directives.  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Applications:** Power management in DC-DC converters, load switching, and other power applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** 4.5 mΩ (max) at VGS = 10 V  
- **High Current Capability:** 50 A (continuous drain current)  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-efficiency power conversion  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces switching losses  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in applications  

This information is based solely on the provided specifications for the SI6963BDQ-T1-E3.

Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET