SI6943DQ

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20 A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate Charge (Q_g):** 20 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Gen IV Technology:** Enhances performance with lower R_DS(on) and gate charge.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows for compact circuit designs.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Provides improved thermal performance and power dissipation.  
- **Applications:** DC-DC converters, motor control, power management in computing and industrial systems.  

This information is based on Vishay Siliconix's datasheet for the SI6943DQ MOSFET.