SI6926DQ

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET The SI6926DQ is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -23A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SI6926DQ is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is housed in a PowerPAK® SO-8 package, offering improved thermal performance and power dissipation.  
- Suitable for low-voltage, high-current switching applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency by minimizing conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with superior thermal characteristics.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, DC-DC converters, motor control, and battery management systems.  

*(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)*

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET