P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode The part **SI6923DQ** is manufactured by **SILICONIX**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SILICONIX (now part of Vishay)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 12A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.025Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions:**  
- The SI6923DQ is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high switching efficiency.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in demanding conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **High Current Handling:** Supports up to 12A continuous current.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode The part **SI6923DQ** is manufactured by **Vishay**. Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI6923DQ  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **R_DS(on) (Max):** 8.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The **SI6923DQ** is a **N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power management applications. It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Optimized for high-frequency switching**  
- **TrenchFET® Gen III technology** for improved efficiency  
- **PowerPAK® SO-8 package** for enhanced thermal performance  
- **AEC-Q101 qualified** (if applicable)  

For exact datasheet details, refer to Vishay’s official documentation.

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET with Schottky Diode