Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI6866DQ is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Here are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI6866DQ  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52 A  
- **R_DS(ON) (Max):** 9.5 mΩ @ V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI6866DQ is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling capabilities, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Optimized for high-efficiency power switching  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the provided knowledge base.

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET