N-Ch, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET + Schottky Diode The SI6820DQ is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI6820DQ  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 9.5 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
  - 12 mΩ (max) at V_GS = 4.5 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Optimized for high-efficiency power management  
- Suitable for synchronous buck converters and motor control applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI6820DQ MOSFET.

N-Ch, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET + Schottky Diode