N-and P-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET Here is the factual information about the part **SI6801DQ** from the manufacturer **Siliconix (Vishay)**:

### **Manufacturer:**  
Siliconix (Vishay)  

### **Part Number:**  
SI6801DQ  

### **Description:**  
The SI6801DQ is a **P-Channel MOSFET** designed for **low-voltage power management** applications. It is optimized for **high-efficiency switching** and **low on-resistance (RDS(on))**, making it suitable for **battery-powered devices, DC-DC converters, and load switching**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** -4.3A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.065Ω (max) @ VGS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V (max)  
- **Package:** **SOIC-8** (Surface Mount)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses  
- **Low Gate Charge (Qg)** for fast switching performance  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Optimized for Portable & Battery-Powered Applications**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. No additional guidance or suggestions are provided.

N-and P-Channel, Reduced Qg, Fast Switching MOSFET