N/P-Channel 20-V (D-S) The SI6562DQ is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI6562DQ  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200 A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10 V:** 4.5 mΩ  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 4.5 V:** 6.5 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI6562DQ is a high-performance N-Channel MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling.  
- It utilizes Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, which enhances efficiency and thermal performance.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**
- **Low R_DS(ON):** Improves efficiency and reduces conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 50 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Enhanced Thermal Performance:** PowerPAK® SO-8 package improves heat dissipation.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

N/P-Channel 20-V (D-S)