### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.7 A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 12 mΩ at V_GS = 10 V  
  - 15 mΩ at V_GS = 4.5 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (per MOSFET)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching applications.  
- TrenchFET® Gen III technology ensures high performance and reliability.  
- Suitable for synchronous buck converters, DC-DC converters, and load switching.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay Siliconix's official documentation.