SI6469DQ

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The part SI6469DQ is manufactured by **VISHAY**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A (per MOSFET)  
- **RDS(ON) (Max):** 12mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Low RDS(ON) reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Dual MOSFET Configuration:** Two N-Channel MOSFETs in a single package.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance in power management applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, power management, motor control, and load switching.  

This information is strictly based on factual data from the manufacturer's documentation.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET