P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET The SI6467DQ is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI6467DQ  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 8.5mΩ at V_GS = 10V  
  - 10mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power conversion applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching performance.  
- **TrenchFET® Gen IV Technology:** Provides low gate charge and low R_DS(on).  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:**  
  - DC-DC converters  
  - Motor control  
  - Power management in automotive and industrial systems  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET