SI6467BDQ

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The part **SI6467BDQ** is manufactured by **Vishay**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI6467BDQ  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 7.5A (per channel)  
- **RDS(ON) (Max):** 25mΩ at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI6467BDQ is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It utilizes Vishay’s TrenchFET® Gen III technology for low on-resistance and high switching performance.  
- Suitable for synchronous buck converters, DC-DC converters, and power distribution systems.  

### **Features:**
- **Low RDS(ON):** Enhances power efficiency.  
- **High Current Handling:** Supports up to 7.5A per channel.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Thermal Performance:** PowerPAK® SO-8 package improves heat dissipation.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET