**Part Number:** SI6463BDQ  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 13A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 9.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI6463BDQ is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in various circuits.  

**Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for power efficiency  
- RoHS compliant  

(Data sourced from VISHAY’s official documentation.)