SI6435DQ

30V P-Channel PowerTrench MOSFET The SI6435DQ is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1 V to -3 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 15 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI6435DQ is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, DC-DC converters, and battery protection circuits.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Optimized for power management** in portable and industrial applications.  
- **PowerPAK® SO-8 package** offers improved thermal performance and space-saving design.  
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications (if applicable).  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI6435DQ.

30V P-Channel PowerTrench MOSFET