SI6415DQ

30V P-Channel PowerTrench MOSFET Here are the factual details about the part **SI6415DQ** from the manufacturer **VISHAY**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** VISHAY
- **Part Number:** SI6415DQ
- **Type:** N-Channel MOSFET
- **Technology:** Silicon (Si)
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.035Ω
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 0.045Ω
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W
- **Operating Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +150°C
- **Package:** PowerPAK® SO-8 (8-pin SOIC)

### **Descriptions:**
- The **SI6415DQ** is a **N-Channel MOSFET** designed for **high-efficiency power switching applications**.
- It is optimized for **low on-resistance (R_DS(ON))** and **fast switching performance**.
- Suitable for **DC-DC converters, power management, and load switching** in portable and industrial applications.

### **Features:**
- **Low R_DS(ON)** for reduced conduction losses.
- **High current handling capability** (6.3A continuous drain current).
- **Optimized for low gate charge (Q_G)** for improved switching efficiency.
- **PowerPAK® SO-8 package** for enhanced thermal performance and space-saving design.
- **AEC-Q101 qualified** for automotive applications (if applicable).
- **RoHS compliant** and halogen-free.

This information is based on VISHAY's official datasheet for the **SI6415DQ** MOSFET.

30V P-Channel PowerTrench MOSFET