Dual N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET The SI5920DC-T1-E3 is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Here are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI5920DC-T1-E3  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200 A  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 2.3 mΩ @ V_GS = 10 V  
  - 2.7 mΩ @ V_GS = 4.5 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 5.4 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for high efficiency  
- Optimized for high-current applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
- AEC-Q101 qualified  

This information is strictly factual from Ic-phoenix technical data files. Let me know if you need further details.

Dual N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET