**Part Number:** SI5915DC-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage - Drain-Source Breakdown (Vdss):** 30V  
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** 8A  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 25mΩ @ 8A, 10V  
- **Gate-Source Voltage (Vgs) (Max):** ±20V  
- **Power Dissipation (Pd):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package / Case:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- High-performance dual N-channel MOSFET in a compact PowerPAK® SO-8 package.  
- Designed for power management applications requiring low on-resistance and high efficiency.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (Rds(on)) for reduced conduction losses.  
- Dual N-channel configuration for space-saving designs.  
- Optimized for high-speed switching applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise technical details.)