SI5908DC-T1-E3

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI5908DC-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix (SI)  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8 A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -10 V:** 50 mΩ  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -4.5 V:** 70 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (TO-236AB)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(ON)):** Provides efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with low-voltage control signals.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Power management, load switching, DC-DC converters, and battery protection circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET