Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The part **SI5904DC-T1** is manufactured by **SILICONIX** (a subsidiary of Vishay). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SILICONIX (Vishay)  
- **Part Number:** SI5904DC-T1  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **R_DS(ON) (Max):** 9.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **SI5904DC-T1** is a **N-Channel MOSFET** optimized for **high-efficiency power management** applications.  
- It features **low on-resistance (R_DS(ON))** and **fast switching performance**, making it suitable for **DC-DC converters, load switches, and power distribution systems**.  
- The **PowerPAK® SO-8 package** provides improved thermal performance and power handling compared to standard SO-8 packages.  

### **Features:**
- **Low R_DS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **TrenchFET® Gen III technology** for high efficiency and reliability.  
- **Optimized for synchronous rectification** in DC-DC converters.  
- **AEC-Q101 qualified** (if applicable, verify datasheet).  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For exact performance characteristics and application details, refer to the official **SILICONIX/Vishay datasheet**.

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET