Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The part **SI5903DC-T1** is manufactured by **VISHAY**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI5903DC-T1  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.8A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.042Ω @ V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The **SI5903DC-T1** is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low **R_DS(ON)** for reduced conduction losses  
- Optimized for high-performance power switching  
- **PowerPAK® SO-8** package for improved thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET