**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage - Drain-Source Breakdown (Vdss):** 30V  
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** 5.8A  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 50mΩ @ 5.8A, 10V  
- **Gate-Source Voltage (Vgs) Max:** ±20V  
- **Power Dissipation (Pd):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package / Case:** PowerPAK® SC-70-6  

**Descriptions:**  
The SI5855DC-T1-E3 is a small-signal N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low threshold voltage  
- High current handling capability  
- Compact PowerPAK® SC-70-6 package  
- RoHS compliant  
- Lead-free and halogen-free  

(Source: VISHAY datasheet)