P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode The part **SI5853DC** is manufactured by **长电 (JCET Group, formerly known as Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOP-8  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.5A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (typical) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- RoHS compliant.  

For detailed datasheets, refer to the manufacturer's official documentation.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode