**Part Number:** SI5853DC-T1  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS:**  
  - 45mΩ @ -10V  
  - 60mΩ @ -4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI5853DC-T1 is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Low R_DS(ON)  
- High-performance PowerPAK® SO-8 package  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

This information is based on VISHAY's datasheet for the SI5853DC-T1.