Complementary 20-V (D-S) MOSFET The SI5515DC-T1-E3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI5515DC-T1-E3  

### **Type:**  
N-Channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.8A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.042Ω  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 0.055Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (Min), 2V (Max)  

### **Package:**  
- **Package Type:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- High-speed switching  
- Optimized for power management applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI5515DC-T1-E3 MOSFET.

Complementary 20-V (D-S) MOSFET