N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The part **SI5515CDC** is manufactured by **VISHAY**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI5515CDC  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.042Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **SI5515CDC** is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(ON)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **High Current Handling:** Supports up to 5.7A continuous drain current.  
- **Robust Thermal Performance:** Designed for reliable operation in various environments.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides durability in inductive load applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET