SI5515CDC-T1-E3

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI5515CDC-T1-E3 is a MOSFET manufactured by Vishay/PBF. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay/PBF  
- **Part Number:** SI5515CDC-T1-E3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon, TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.028Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Descriptions:**  
The SI5515CDC-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **TrenchFET® Technology** for improved efficiency and switching performance.  
- **PowerPAK® SO-8 Package** for enhanced thermal performance and space-saving design.  
- **AEC-Q101 Qualified** for automotive applications.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET