N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI5515CDC-T1-E3 is a MOSFET manufactured by Vishay/PBF. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay/PBF  
- **Part Number:** SI5515CDC-T1-E3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon, TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.028Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Descriptions:**  
The SI5515CDC-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and amplification in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **TrenchFET® Technology** for improved efficiency and switching performance.  
- **PowerPAK® SO-8 Package** for enhanced thermal performance and space-saving design.  
- **AEC-Q101 Qualified** for automotive applications.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The **SI5515CDC-T1-E3** is a MOSFET part manufactured by Vishay Siliconix. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
### **Part Number:** SI5515CDC-T1-E3  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Application:** Power management in DC-DC converters, load switching, and other high-efficiency power applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 4.5mΩ at V_GS = 10V  
  - 6.0mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-frequency switching applications.  
- PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET