Complementary 20-V (D-S) MOSFET The part **SI5513DC** is manufactured by **Siliconix (Vishay)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Current (I_D):** 9A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.04Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The SI5513DC is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed datasheet information, refer to the manufacturer's documentation.

Complementary 20-V (D-S) MOSFET

Complementary 20-V (D-S) MOSFET The SI5513DC is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI5513DC  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.0085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- The SI5513DC is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  
- The TO-263 package provides efficient thermal dissipation.  

### **Features:**
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current capability for power applications.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI5513DC.

Complementary 20-V (D-S) MOSFET