**Part Number:** SI5463EDC  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):**  
  - 4.5mΩ (VGS = 10V)  
  - 5.5mΩ (VGS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:**  
  - DC-DC Converters  
  - Motor Control  
  - Power Management  
  - Load Switching  

This MOSFET is part of Vishay’s TrenchFET® Gen III series, offering high performance in a compact SO-8 package.