P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI5441BDC-T1-E3 is a Schottky diode manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Vishay**  

### **Part Number:**  
- **SI5441BDC-T1-E3**  

### **Type:**  
- **Schottky Diode**  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):** 40 V  
- **Current - Average Rectified (Io):** 5 A  
- **Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:** 0.55 V @ 5 A  
- **Reverse Recovery Time (trr):** Fast recovery (Schottky diode, typically negligible)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package / Case:**  
- **PowerDI® 123** (Surface Mount)  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop** for high efficiency  
- **High Current Capability** (5 A average rectified current)  
- **Fast Switching** due to Schottky technology  
- **High Surge Current Capability**  
- **AEC-Q101 Qualified** (for automotive applications)  

### **Applications:**  
- Power supply rectification  
- DC-DC converters  
- Reverse polarity protection  
- Automotive electronics  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET