### **Manufacturer:**  
VISHAY  

### **Part Number:**  
SI5435DC-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 8.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The **SI5435DC-T1** is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-current applications  
- Fast switching performance  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- RoHS compliant  

For exact application details, refer to the official datasheet from **VISHAY**.

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 14A (continuous)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching applications in DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21.  

(Source: Vishay Siliconix datasheet for SI5435DC-T1)