SI5419DU-T1-GE3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET The SI5419DU-T1-GE3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI5419DU-T1-GE3  

### **Type:**  
N-Channel MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10 V:** 6.5 mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5 V:** 9.5 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature Range (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** PowerPAK® SO-8  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Optimized for high-efficiency power management applications  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Power management in DC-DC converters  
- Load switching  
- Motor control  
- Battery protection circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to Vishay's official documentation.

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET