N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The SI5404BDC-T1-E3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI5404BDC-T1-E3  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.8 A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10 V:** 0.042 Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SC-70-6L  

### **Descriptions:**  
- A high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- Optimized for low on-resistance and high switching efficiency.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Compact PowerPAK® SC-70-6L package for space-constrained applications.  
- Suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET