Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET The SI4980DY-T1 is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Vishay**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A per channel  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 60mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 10ns (typ)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** for high-efficiency power switching applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications.  
- **Optimized for Synchronous Buck Converters** and other power management circuits.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental compliance.  

This information is sourced directly from Vishay's datasheet for the SI4980DY-T1. No additional guidance or suggestions are included.

Dual N-Channel 80-V (D-S) MOSFET