Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET The SI4973DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4973DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A per channel  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per channel)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI4973DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching and amplification circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed.  
- High current handling capability.  
- TrenchFET® technology for improved efficiency.  
- ESD protection.  

This information is strictly based on the provided knowledge base. No additional suggestions or guidance are included.

Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET