Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI4967DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7 A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20 A per channel  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 28 mΩ at V_GS = 10 V  
  - 34 mΩ at V_GS = 4.5 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4967DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, offering low on-resistance and high switching efficiency.  
- Suitable for synchronous rectification, DC-DC converters, and load switching applications.  

### **Features:**
- Low gate charge for improved switching performance.  
- High power density in a compact SO-8 package.  
- Optimized for low-voltage, high-efficiency applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay’s official documentation.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET