20-V (D-S) Dual The SI4966DY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI4966DY  

### **Type:**  
Dual N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V, I_D = 5A)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
SO-8 (Dual MOSFET in a single package)  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- Fast switching speed  
- High efficiency in power management applications  
- Dual N-Channel configuration for compact designs  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in portable devices  
- Motor control  
- Battery protection circuits  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI4966DY. For detailed electrical characteristics and performance graphs, refer to the official datasheet.

20-V (D-S) Dual