SI4965DY

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI4965DY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay  
### **Part Number:** SI4965DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.025Ω per channel  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W per channel  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI4965DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and fast switching characteristics.  
- Suitable for synchronous buck converters, DC-DC converters, and load switching applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides high performance and reliability.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows for compact circuit designs.  
- **Optimized for Synchronous Rectification:** Improves efficiency in DC-DC applications.  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET