Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI4965DY-T1 is a dual P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 36mΩ at V_GS = -10V  
  - 45mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI4965DY-T1 is a dual P-channel MOSFET optimized for high-efficiency power management applications.  
- It features Vishay’s TrenchFET Gen III technology, providing low on-resistance and high current handling.  
- Designed for use in load switching, power management, and DC-DC conversion circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Dual MOSFET Configuration:** Allows for compact circuit designs.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET