30-V (D-S) Dual The SI4947DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3 A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25 A per channel  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 12 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
  - 15 mΩ (max) at V_GS = 4.5 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W per channel  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4947DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, providing low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for synchronous buck converters, DC-DC converters, motor control, and load switching applications.  

### **Features:**
- Low gate charge for fast switching.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-frequency switching applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

30-V (D-S) Dual