Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4944DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 25mΩ at V_GS = 10V  
  - 30mΩ at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per channel  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance and high current handling capability.  
- Optimized for synchronous buck converters, DC-DC converters, and motor control.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows compact circuit designs.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides high power density and thermal performance.  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET