### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per channel)  
- **RDS(ON) (Max):** 28mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.5V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI4936ADY-T1 is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching, power distribution, and DC-DC conversion.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides superior switching performance.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows for compact circuit designs.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Optimized for thermal and electrical performance.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.