Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4936 is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 28mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 35mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Description:**  
The SI4936 is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in various circuits.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for logic-level drive  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- ESD protection  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the provided knowledge base for the SI4936 MOSFET by Vishay.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4936 is a dual N-channel and P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.3A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - N-Channel: 28mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 45mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and load switches.  
- Fast switching performance.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact application details, refer to the official datasheet.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4936 is manufactured by **SILICONIX** (a subsidiary of Vishay).  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 30V  
- **Current Rating (I_D):** 6.3A (per channel)  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and load switching.  
- Fast switching performance.  
- Logic-level gate drive compatible.  

For detailed datasheet information, refer to the manufacturer's documentation.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** Vishay Siliconix  

**Part Number:** SI4936  

**Description:**  
The SI4936 is a dual N-channel and P-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and is optimized for high-efficiency switching in compact designs.  

**Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):**  
  - N-Channel: 30V  
  - P-Channel: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):**  
  - N-Channel: 5.7A  
  - P-Channel: -4.3A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - N-Channel: 28mΩ (at V_GS = 10V)  
  - P-Channel: 48mΩ (at V_GS = -10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation:** 2.5W  
- **Package:** SO-8  

**Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low threshold voltage for logic-level drive  
- Optimized for synchronous buck converters  
- Lead-free and RoHS compliant  

(Note: Always verify specifications with the latest datasheet from Vishay.)

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET