SI4927DY

Dual P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET The SI4927DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.3A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **R_DS(ON) (Max) at V_GS = 10V:** 0.035Ω  
- **R_DS(ON) (Max) at V_GS = 4.5V:** 0.045Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W per channel  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI4927DY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) and high current handling capability.  
- Suitable for switching applications in DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance and reliability.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows compact circuit designs.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual P-Channel, 30-V (D-S) MOSFET