SI4926DY

Asymentrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4926DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by SILICONIX (now part of Vishay).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A per channel  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.042Ω at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Contains two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with minimal conduction losses.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (compatible with 5V logic).  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in inductive load applications.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

Asymentrical Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET