Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** SILICONIX (now part of Vishay Intertechnology)  

**Part Number:** SI4925BDY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A per channel  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 0.035Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 2W per channel  
- **Package:** SOIC-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Optimized for synchronous buck converters and DC-DC applications.  
- Logic-level compatible gate drive (4.5V).  
- Low on-resistance reduces conduction losses.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI4925BDY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Configuration:** Dual N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.035Ω at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI4925BDY is a high-performance dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high switching efficiency.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive.  
- High current handling capability.  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- ESD protection for improved reliability.  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI4925BDY.

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET