Dual P-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET The part **SI4925** is manufactured by **Texas Instruments (TI)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 28mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per channel)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **SI4925** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-current applications such as power management in portable electronics.  
- The device features a compact package for space-constrained designs.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Ensures minimal power loss.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows for bidirectional switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **ESD Protection:** Enhanced reliability in harsh environments.  
- **Compact Package:** Available in SOIC-8 or similar small-footprint packages.  

For detailed datasheets and application notes, refer to **Texas Instruments' official documentation**.

Dual P-Channel/ Logic Level/ PowerTrench MOSFET