Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4914BDY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4914BDY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 28mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI4914BDY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-current switching applications.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Dual MOSFET Configuration:** Space-saving SO-8 package.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact performance characteristics, refer to the official Vishay datasheet.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode