Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI4914BDY-T1-GE3 is a dual P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI4914BDY-T1-GE3  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3 A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25 A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 28 mΩ (max) at V_GS = -4.5 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Optimized for low on-resistance and high current handling.  
- Suitable for load switching, power distribution, and battery management.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances switching performance.  
- **Dual MOSFET Configuration:** Saves board space.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Improves thermal performance.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from Vishay's official documentation. For further details, refer to the datasheet.

Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode